上次我們說過TFT液晶屏的起源，今天我們繼續談下去TFT液晶屏的發展歷史，看看我們的TFT究竟是一個怎樣的發展過程。
TFT液晶屏的發展歷史始于20世紀80年代初，幾家日本半導體公司正在動態存儲器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)半導體工藝技術在工業中的應用TFT屏幕工藝，并結合LCD成功開發了非晶硅和多晶硅技術TFT-LCD。1982年，日本三洋公司開發了非晶硅TFT-LCD，主要用于3~5英寸小電視。同年，精工愛普生采用準分子激光退火(ELA：ExcimerLaserAnnealing)制作多晶硅的方法TFT并成功開發了3英寸多晶硅TFT-LCD產品。1985年，松本提出使用多晶硅TFT制作驅動IC的概念。多晶硅TFT技術分為高溫多晶硅技術和低溫多晶硅技術，兩種技術最大的區別是成膜溫度不同。制造高溫多晶硅TFT成膜溫度為600℃因此，高熔點的石英基板被用來制造低溫多晶硅TFT成膜溫度為450℃下面，可以在玻璃基板上成膜，制成類似非晶硅的硅膠TFT-LCD的顯示器。
20世紀80年代中期后期Si系列的TFT高溫多晶硅、低溫多晶硅和非晶硅是液晶屏發展的主要方向。由于石英基板的尺寸較小，因此高溫多晶硅TFT-LCD大部分尺寸限制在2~3英寸，主要用于小型高精度投影儀或投影電視等產品。低溫多晶硅TFT電子遷移率遠高于非晶硅TFT因此，人們普遍認為低溫多晶硅具有電子遷移率TFT-LCD將完全取代非晶硅TFT-LCD。但是非晶硅TFT-LCD工藝不斷突破技術瓶頸，在制造工藝、基材尺寸、成本、質量、產品合格率等方面始終領先于低溫多晶硅TFT-LCD隨著時間的推移，人們逐漸意識到非晶硅TFT-LCD不太可能被替換。盡管在20世紀90年代末，玻璃基板上的集成驅動器被提出IC然而，由于產品的應用領域和未來的發展方向不明確，低溫多晶硅TFT工業化進程非常緩慢，甚至在20世紀90年代末，在低溫多晶硅TFT-LCD一些投資巨大的日本公司，在經營上遇到困難，最終不得不與其他公司合并。直到21世紀初紀初，PDA隨著對各種便攜式電子產品的需求不斷增加，低溫多晶硅技術以其卓越的優勢TFT基于電學特性，在集成周邊電路、高分辨率/高精度、高開口率等方面逐漸顯現出優勢，促成了低溫多晶硅TFT-LCD市場發展。近年來低溫多晶硅TFT引人注目的應用領域是有源矩陣有機發光二極管(ActiveMatrixOrganicLightingEmittingDiode，AMOLED)。
盡管非晶硅TFT工業化過程中也遇到了很多困難，但是非晶硅TFT近20年來，生產工藝簡單，大尺寸基板批量生產具有行為特點LCD屏幕行業不斷開拓新的應用領域。1986年非晶硅TFT技術開始應用于液晶電視產品，但直到1990年，產品僅限于3~5英寸的小電視。夏普于1991年正式推出，玻璃尺寸為400mm×320mm的TFT-LCD從那時起，生產線拉開了液晶面板向大尺寸發展的帷幕。在這條生產線上，每個玻璃基板可以切割4片8塊.4英寸或2片10.4英寸面板。隨著玻璃基板的尺寸越來越大，TFT液晶面板的種類越來越多樣化，應用范圍逐漸從小電視擴大到筆記本電腦、臺式電腦等電子產品，如表1.1.1所示。另一方面，大型玻璃基板也提高了液晶面板的生產效率，降低了生產成本。1998年，液晶顯示器的實際售價降至10萬日元以下(約7000元人民幣)，拉開了液晶顯示器市場普及的帷幕。
